随着人们对智能手机的使用需求日益增加，智能手机性能提升的同时也带来了功率损耗大幅提升问题。在电池容量和体积受限情况下，手机充电器的快充技术成为提高电池续航能力的有效解决方案。为了满足人们对智能手机，小巧便携需求，手机快充渐渐趋向较小的外形尺寸和较大的输出功率，而这对制造厂家在解决温升高、热性能差等问题方面提出了新的技术挑战。

为满足当下智能手机和平板电脑等充电器的需求，艾科微推出了一系列可靠、高效的高压及低压MOS。第六代R系列平面高压MOS产品，涵盖200V-1700V电压全系列产品，在满足客户各种选型需求的同时，该系列产品在提高温升效率、改善EMI特性、抗雷击浪涌能力方面有良好的表现。

艾科微的高压超结MOS,采用先进的多层外延和注入技术，有国内领先的Rsp和FOM (RDS(0N)xQg),因其电流密度高、开关速度快、易用性好，为客户的高效率、 高可靠性需求提供良好的选)择。艾科微的SGT工艺低压MOS，有优秀的FOM参数，便于客户提高产品功率密度；同时也开发了低VGs(th)产品，满足客户各种应用需求。多种封装形式如 PDFN8X8、DFN5X6等可满足终端应用小尺寸外形的需求。

此外，艾科微最新推出的GaN  HEMT产品，被应用在快速充电器上面，使得最终产品具有效率高，尺寸小的，成本低的特点，得到了市场广泛认可。